IGBT是绝缘栅极备变器(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写,是由绝缘栅极双极型晶体管交流变换器的一种,它结合了晶体管的高频特性和发射管的可控开关特性,由此产生了大功率、高效率、负载可靠性高的电子变器。
igbt的特性
IGBT具有卓越的功率密度、低的漏电损耗,能够在高频下工作,结构紧凑便于集成化,可以满足大功率不同传动系统的要求。IGBT能够有效改善功率调节精度,提高系统效率,维护及运行成本也相对较低,因此,它是高效率电力电子系统的理想选择。
IGBT是绝缘栅极备变器(Insulated Gate Bipolar Transistor)的缩写,是由绝缘栅极双极型晶体管交流变换器的一种,它结合了晶体管的高频特性和发射管的可控开关特性,由此产生了大功率、高效率、负载可靠性高的电子变器。
IGBT具有卓越的功率密度、低的漏电损耗,能够在高频下工作,结构紧凑便于集成化,可以满足大功率不同传动系统的要求。IGBT能够有效改善功率调节精度,提高系统效率,维护及运行成本也相对较低,因此,它是高效率电力电子系统的理想选择。
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